而在原来越多的中低端机型中2025/6/99860giii间隔苹果新机发外的岁月越来越近，iPhone12不再标配充电器的音信也风行一时。
音信一出，便正在疾充行业中惹起不小的颤动，假若iPhone12新机撤销标配充电器，势必将发生一个宏壮的市集缺口，给全豹疾充行业上下逛家当链带来极大利好。
爆料消息显示，正在iPhone12撤销标配充电器之后，手机包装盒的厚度将缩减为现有的一半，变得加倍轻浮。
可能猜思，正在iPhone12撤销标配充电器之后，市道上第三方USB PD疾充充电器，越发是初学级其它18W PD充电器，将进入发卖的旺季，而举动18W PD疾充的魂魄，内置MOS的疾充电源芯片也将随之迎来出货的高光岁月。
通过拆解市道上热门的60余款18W PD疾充充电器理解到，各大疾充厂商往往更偏向于拔取内置MOS的高集成电源计划，以此削减产物PCBA上元器件数目，下降体例本钱、缩短产物开辟周期、加快产物上市，抢占市集。
为了助助昌大工程师和疾充厂商举行计划选型，咱们统计汇总了一份实用于18W PD疾充的高性价比电源计划列外，并料理了干系的计划的行使案例。
据充不齐备统计，目前已有PI、东科、芯茂微、芯朋、美思迪赛、茂睿芯、硅动力等24家芯片品牌推出了116款内置MOS的电源芯片，蕴涵内置MOS的低级芯片53款，以及内置MOS的次级芯片63款。下面就为大师分享各款芯片的行使案例。
AOS万邦半导体AOZ7635集成职掌器和低级开合管，内置开合管导阻0.9，耐压700V，内置逐周期电流局限，内修众重爱惜功效，采用巩固散热的17-pin 6 x 6 QFN封装。
AOS万邦半导体AOZ7648集成同步整流职掌器和同步整流管，及反应职掌等众种爱惜功效。内置9m低导阻 NMOS管用于同步整流，采用巩固散热的38-pin 6×6 QFN封装。这款次级反应IC并未采用常睹的光耦反应，而是采用了加倍牢靠的磁耦合传输工夫，与Y电容平行的小板即是一个平板变压器。
矽力科技AP205B是一款内置MOS外围纯粹高效的AC-DC芯片，有恒功率和恒压两种形式拔取，2.4ohm，1.8ohm，0.9ohm三种内置mos供拔取，很好的EMC特征，高压和低压的OCP类似性额外好，50mW以内的超低待机功耗，轻松通过欧洲六级能效，圆满的爱惜功效。
矽力科技AP405B是一款内置MOS外围纯粹高效的SR同步整流芯片，接济三种形式事业CCM/DCM/QR，无需辅助绕组，芯片高压自供电工夫，使得AP405B圆满接济输出电压低到3v，内置mos的驱动电压永远维护正在9v，确保高作用事业， 外围最纯粹，可能正端接法或负端接法，外围仅需一个0.22uF电容，圆满的爱惜功效，目前仍然被飞利浦等许众品牌客户认同和量产。
Chip-hop芯茂微的高职能副边同步整流驱动芯片LP20R100S，这款芯片实用于AC-DC的同步整时髦使，实用于正激体例和反激体例，其它接济DCM，BCM，QR，和CCM众种事业形式，耐压100V，芯片内集成VCC供电。
PWM主控芯片采用的是芯朋微电子的PN8160，内部集成了电流形式职掌器和功率MOSFET，专用于高职能、外围元器件精简的交直流转换开合电源。须要超低待机功耗的高性价比反激式开合电源体例供给了一个先辈的告竣平台，额外适合六级能效、CoC Tier 2行使，PCB后背露铜助助散热。
芯朋PN8161内部集成了准谐振事业的电流形式职掌器和功率MOSFET，专用于高职能、外围元器件精简的交直流转换开合电源。该芯片供给了极为全部和职能优异的智能化爱惜功效，蕴涵输出过压爱惜、逐周期过流爱惜、过载爱惜、软启动功效。
芯朋PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种形式搀杂调制工夫和卓殊器件低功耗构造工夫告竣了超低的待机功耗、全电压边界下的最佳作用。频率调制工夫和SoftDriver工夫充满担保优良的EMI再现。
芯朋PN8307H内置同步整流职掌器及高雪崩才智功率MOSFET，用于正在高职能AC/DC反激体例中取代次级整流肖特基二极管，电压降极低的功率MOSFET可能普及电流输出才智，提拔转换作用，使得体例作用可能餍足6级能效的轨范，并留有足够的裕量。
芯朋PN8307H内置12m60V耐压同步整流管，实用3.6V-20V常用适配器输出，实用于QC3.0适配器及其他固定电压输出的适配器。该芯片还集成了极为全部的辅助功效，包罗输出欠压爱惜、防误开启、最小导通岁月等功效。
诚芯微CX7509芯片内置 650V 高压功率 MOSFET，行使于功率正在 18W 以内的计划。 正在启动和事业时只须要很小的电流，可能正在启动电途中运用一个很大的电阻，以此来减小待机时的功耗。而且芯片内置蕴涵逐周刻期流爱惜（OCP）、过载爱惜（OLP）、过压爱惜（VDD OVP）、VDD 过压箝位，欠压爱惜（UVLO）、过温爱惜（OTP）等正在内的众种爱惜功效，通过内部的图腾柱驱动构造可能更好的改革体例的EMI 特征和开合的软启动职掌。
诚芯微CX7538是一颗高职能的开合电源次级侧同步整流职掌电途。正在低压大电流开合电源行使中，轻松餍足6级能效，是理思的超低导通压降整流器件的治理计划。芯片可接济高达 150kHz 的开合频率行使，而且接济 CCM/QR/DCM等开合电源事业形式行使，其极低导通压降发生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大普及了体例的转换作用，大幅下降了整流器件的温度。
诚芯微CX7538内置耐压高达85V的NMOSFET同步整流开合，且具有极低的内阻，楷模 RdsON 低至 10m，可供给体例高达 3A 的行使输出；还内置了高压直接检测工夫，耐压高达 200V；以及高达 30V 的供电电压，使得职掌器可直接运用高至 24V 的输出电压整时髦使中，极大扩展了运用边界。高集成度的电途计划使得芯片外围电途极其纯粹，正在 QC 与 PD 5V/9V/12V 行使中，只需搭配 1 颗电容，即可构修一个完美的同步整时髦使体例。
东科DK5V85R15C是一款纯粹高作用的同步整流芯片，唯有A，K两个引脚，差异对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了85V功率NMOS管，可能大幅下降二极管导通损耗，普及整机作用，代替或更换目前市集上等规的肖特基整流二级管。
东科高职能两个引脚同步整流芯片DK5V100R15M。这是一款纯粹高作用的同步整流芯片，唯有A，K两个引脚，差异对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可能大幅下降二极管导通损耗，普及整机作用，代替或更换目前市集上等规的肖特基整流二级管。芯片采用SM-10封装。
东科DK5V100R20C是一款纯粹高作用的同步整流芯片，唯有A，K两个引脚，差异对应肖特基二极管PN管脚。芯片内部集成了100V功率NMOS管，可能大幅下降二极管导通损耗，普及整机作用，代替或更换目前市集上等规的肖特基整流二级管。其它该芯片采用SM-7封装（兼容TO-277封装）。
东科DK5V100R25C是一款纯粹高作用的同步整流芯片，唯有 A、K 两个引脚，差异对应肖特基二极管PN引脚。芯片内部集成了100V功率 NMOS 管，可能大幅下降二极管导通损耗，普及整机作用，代替或更换目前市集上一概规格的肖特基整流二极管。
Depuw德普微高度集成、离线式电流形式职掌功率开合DP2367，内置650V耐压MOS管。
力生美LN9T39HV是一款高供电电压边界、高职能、高集成度电流形式PWM职掌器功率开合，可能容易地正在诸如PD/QC等宽输出电压转移边界的开合电源行使中构修餍足CoC V5及DoE 6级能效的低待机功耗、低本钱、高职能的治理计划。
力生美LN5S18是高职能 SR 同步整流功率开相合列产物，产物内置超低 RdsON MOSFET，内置 TrueWareTM 工夫，兼容 CCM/DCM/QR 等各类反激电源事业形式，内置 MOSFET 耐压更高达 80V，可正在宽达 5~15V 的行使中告竣理思二极管整流后果，是 USB Type-C PD 及 QC 疾充等行使的极佳拔取。
力生美LN5S21A内置同步整流MOS和职掌器，内置MOS耐压105V，导阻10m，可能普及整机转换作用。
力生美LN5S21B内置同步整流MOS和职掌器，内置MOS耐压105V，导阻8m，可能普及整机转换作用。
茂睿芯的MK9173系列是一款高职能的同步整流功率开合，集成N沟道功率MOS，实用于分隔型的同步整时髦使。越发实用于充电器中需求高作用的场地，并兼容CCM、DCM和QR形式。其它MK9173X采用自立常识产权的自供电电途，可灵便的就寝正在输出正端或输出负端。就寝正在正端时，亦无需额外的辅助绕组。
MK9173的10ns合断延时以及高达4A的下拉电流助助体例牢靠事业于CCM 形式。其自立常识产权的开通及合断机制，可能最大化外驱MOSFET的导通岁月以得回尽可以高的作用。而且自立检测DCM振铃，防御误开通。
次级同步整流芯片采用茂睿芯MK1716，这款芯片集成了次级同步整流职掌器和16m/100V规格同步整流MOS。茂睿芯MK171X系列是一款高职能的同步整流功率开合，集成N沟道功率MOS，实用于分隔型的同步整时髦使。越发实用于充电器中需求高作用的场地，并兼容CCM、DCM 和QR形式。
MK171X采用自立常识产权的自供电电途，可灵便的就寝正在输出正端或输出负端。就寝正在正端时，亦无需额外的辅助绕组。接济10ns合断延时以及高达4A的下拉电流助助体例牢靠事业于CCM 形式。接济开通及合断机制，可能最大化外驱MOSFET的导通岁月以得回尽可以高的作用，而且自立检测DCM振铃，防御误开通。
次级同步整流芯片采用昂宝OB2004Ax，其内置NMOS，接济3-12V输出，集成度高。
PI SC1224K内置反激式职掌器、低级开合管，以及次级测检测和同步整流职掌器。
PI SC1548C内置反激式职掌器、低级开合管，以及次级测检测和同步整流职掌器，内置带HIPOT分隔爱惜的集成反应链途，集成度额外高。
PI PWM主控芯片SC1702C，内部集成职掌器，开合管和同步整流职掌器。
PI SC1933C属于PI InnoGaN 系列，这个是PI推出的首款GaN电源产物，标记着GaN元件正在USB PD疾充电源上取得全部行使，其高频率低损耗的上风，可能普及充电器的功率密度，减小体积和重量，加倍便于带领。
PI SC1936C是PI最新发外的内置氮化镓功率器件的PowiGaN主控芯片，宽电压边界下，适配器壳体中最大75W继续功率。
PI INN2215K是离线CV/CC反激开合集成电途，集成了650V MOSFET，Sync-Rect反应和用于USB-PD和QC 3.0的恒功率分散图，大大简化了低压大电流电源格外是小尺寸和高作用电源的开辟和成立，可用于最大20W的充电器行使。
PI的电源主控芯片INN3265C内置了职掌器，开合管以及次级同步整流职掌器，集成度高，可用于最大22W的充电器行使。
充电器主控芯片来自PI的低级主控芯片，型号INN3266C，其内置了职掌器，开合管，次级同步整流职掌器，集成度高，可用于最大27W的充电器行使。
PI INN3268C片内置了PWM主控、高压MOSFET以及次级同步整流职掌器以及反应电途等，无需光耦，外围简明，可用于最大50W的充电器行使。
低级PWM主控芯片采用亚成微RM6715S，这是一种自供电双绕组离线式开合电源拘束芯片，内置高压 MOSFET及电流形式 PWM+PFM 职掌器， 餍足六级能效轨范。同时，RM6715S内置高压启动电阻，专利工夫为VCC供电，无需外部辅助绕组，朴素计划本钱。
RM6715S芯片内置众种事业形式，正在轻载景况下，芯片进入Burst mode形式，毁灭变压器的音频噪音，普及转换作用；正在待机形式下，电途进入打嗝形式，有用下降电途的待机功耗。内部集成斜坡赔偿模块，有利于CCM形式下体例闭环反应回途的坚固性，减小了输出纹波电压。其它，芯片内部还集成众种很是状况爱惜功效，正在电途爆发很是时，芯片进入爱惜状况并主动重启检测， 很是消除，还原平常输出。
亚成微RM3403SH内部集成同步整流MOS管，集成度同样很高，并接济DCM、CRCM、CCM和准谐振等众种事业形式。
士兰SDH8666Q是士兰微电子新一代SSR反激职掌芯片，采用了自有专利EHSOP5贴片封装，内置高压大功率MOSFET，导阻0.55，可通常实用于36W适配器或48W怒放情况，蕴涵通用适配器、疾充、显示器安静板电视等，此前充电头网仍然对该款芯片举行干系报道。
Si-Power硅动力的高职能、低功耗开合电源职掌芯片SP6638HF，内置低级开合MOS，用于功率正在18W以内的计划。SP6638HF是邦内首款内置MOS接济恒功率形式的18W疾充芯片，采用行业领先的3D封装工夫。配套同步整流芯片SP6518F：内置80V/10m低压MOS，带自供电事业形式，圆满接济PPS。
PWM主控芯片采用无锡硅动力SP6648HF，这是一颗电流形式PWM职掌芯片，其内置650V高压功率MOSFET，行使于功率正在18W以内的计划。SP6648HF正在PWM形式下事业于固定开合频率，这个频率是由内部精准设定。正在空载或者轻载时，事业频率由IC内部调动。芯片可能事业正在绿色形式，以此来减小轻载时的损耗，普及整机的事业作用。
Si-Power硅动力同步整流芯片SP6518F。这是一颗高职能的开合电源次级侧同步整流职掌电途。正在低压大电流开合电源行使中，轻松餍足6级能效，是理思的超低导通压降整流器件的治理计划。
芯片可接济高达150kHz的开合频率行使，而且接济CCM/QR/DCM等开合电源事业形式行使，其极低导通压降发生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗，极大普及了体例的转换作用，大幅下降了整流器件的温度。
苹果目前已有10款接济USB PD疾充的手机，此中8款尚未标配18W疾充套装，现有市集对18W疾充的需求本就对比繁盛。跟着iPhone12不再附赠充电器，第三方18W疾充的销量将迎来新一轮增进。
目前18W USB PD疾充计划仍然相等成熟，而且还可能兼容众种其他疾充订交，齐备具备了代替守旧充电器的才智。而正在本来越众的中低端机型中，18W PD疾充工夫也慢慢成为手机的标配，市集潜力宏壮。
对18W PD疾充电源芯片而言，高集成计划仍然成为市集的起色趋向，而具备高集成度AC-DC电源芯片供应才智的芯片厂商上风也慢慢凸显。
从理解到的数据来看，目前正在18W PD疾充这个品类，内置MOS计划和诀别器件计划各霸占了一半的市集份额。这对内置MOS芯片的厂商来说是一个好音信，仍有宏壮的市集有待开辟，此中也蕴藏了无穷商机。
